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Treffer: Electrical characterisation of oxygen-engineered yttrium oxide and hafnium oxide-based resistive random-access memory (RRAM) devices

Titel:
Electrical characterisation of oxygen-engineered yttrium oxide and hafnium oxide-based resistive random-access memory (RRAM) devices / Eszter Piros
Beteiligt:
Piros, Eszter (Verfasser) ; Alff, Lambert (Akademischer Betreuer) ; Meinert, Markus (Akademischer Betreuer) 
Körper­schaft:
Technische Universität Darmstadt (Grad-verleihende Institution)
Veröffent­licht:
Darmstadt : Universitäts- und Landesbibliothek Darmstadt, 2025
Umfang:
1 Online-Ressource (XIX, 96 Seiten, Seite XXI-LXII)
Format:
E-Book
Sprache:
Englisch
Hochschul­schrift:
Dissertation, Technische Universität Darmstadt, 2025
Anmerkungen:
kostenfrei
Schlagworte:
DOI:
10.26083/tuda-7531
Open Access Rechte:
Open Access
CC BY-SA 4.0

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