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ISO-690 (author-date, English)

SHEKARABI, Sahar, ZARE POUR, Mohammad Amin, SU, Haoqing, ZHANG, Wentao, HE, Chengxing, HANKE, Kai Daniel, ROMANYUK, Oleksandr, PASZUK, Agnieszka, JAEGERMANN, Wolfram, HU, Shu und HANNAPPEL, Thomas, 2025. Photoemission study of Ga N passivation layers and band alignment at Ga In P(100) heterointerfaces. American Chemical Society. ACS applied materials & interfaces. 2025. No. Band 17, Heft 4 (2025), Seite 7087-7097, p. , Heft 4 (2025), Seite 7087-7097. DOI 10.1021/acsami.4 c17453.

Elsevier - Harvard (with titles)

Shekarabi, S., Zare Pour, M.A., Su, H., Zhang, W., He, C., Hanke, K.D., Romanyuk, O., Paszuk, A., Jaegermann, W., Hu, S., Hannappel, T., 2025. Photoemission study of Ga N passivation layers and band alignment at Ga In P(100) heterointerfaces. American Chemical Society. ACS applied materials & interfaces , Heft 4 (2025), Seite 7087-7097. https://doi.org/10.1021/acsami.4 c17453

American Psychological Association 7th edition

Shekarabi, S., Zare Pour, M. A., Su, H., Zhang, W., He, C., Hanke, K. D., Romanyuk, O., Paszuk, A., Jaegermann, W., Hu, S., & Hannappel, T. (ca. 2025). Photoemission study of Ga N passivation layers and band alignment at Ga In P(100) heterointerfaces [Electronic]. American Chemical Society. ACS applied materials & interfaces, Band 17, Heft 4 (2025), Seite 7087-7097, , Heft 4 (2025), Seite 7087-7097. https://doi.org/10.1021/acsami.4 c17453

Springer - Basic (author-date)

Shekarabi S, Zare Pour MA, Su H, Zhang W, He C, Hanke KD, Romanyuk O, Paszuk A, Jaegermann W, Hu S, Hannappel T (2025) Photoemission study of Ga N passivation layers and band alignment at Ga In P(100) heterointerfaces. American Chemical Society. ACS applied materials & interfaces , Heft 4 (2025), Seite 7087-7097. https://doi.org/10.1021/acsami.4 c17453

Juristische Zitierweise (Stüber) (Deutsch)

Shekarabi, Sahar/ Zare Pour, Mohammad Amin/ Su, Haoqing/ Zhang, Wentao/ He, Chengxing/ Hanke, Kai Daniel/ Romanyuk, Oleksandr/ Paszuk, Agnieszka/ Jaegermann, Wolfram/ Hu, Shu/ Hannappel, Thomas, Photoemission study of Ga N passivation layers and band alignment at Ga In P(100) heterointerfaces, American Chemical Society. ACS applied materials & interfaces 2025, , Heft 4 (2025), Seite 7087-7097.

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